中國科技大學郭光燦院士指導的中科院量子信息重點實驗室，近期在半導體門控量子點的研討中獲得重要停頓。該實驗室的郭國平教授研討組與其協作者深化探求二維層狀過渡金屬硫族化合物應用于半導體量子芯片的可能性，實驗上初次在半導體柔性二維資料體系中完成了全電學調控的量子點器件。
經過幾十年的展開，半導體門控量子點作為一種量子晶體管曾經成為量子芯片的搶手候選體系之一。以石墨烯為代表的二維資料體系由于其自然的單原子層厚度、[敏感詞]的電學性能、易于集成等優(yōu)點，成為柔性電子學、量子電子學的重點研討對象。但是自石墨烯被發(fā)現之后的十幾年里，科學家們經過大量的實驗嘗試，發(fā)現石墨烯中能帶構造、界面缺陷雜質等要素對量子點器件的性能有很大的影響。直到目前，二維資料中的量子點還無法完成有效的電學調控。
針對這種狀況，郭國平研討組與日本國立資料研討所TakashiTaniguchi和KenjiWatanabe研討員以及理化研討所的FrancoNori教授協作，選擇新型二維資料二硫化鉬中止深化研討。該資料具有合適的帶隙、較強的自旋軌道耦合強度以及豐厚的自旋－能谷相關的物理現象，因而在量子電子學，特別是自旋電子學和能谷電子學中具有寬廣的應用前景。
經過大量的嘗試，研討組應用微納加工、低溫LED輻照等一系列現代半導體工藝手段，分別當前二維資料體系研討中普遍采用的氮化硼封裝技術，有效減少了量子點構造中的雜質、缺陷等，初次在這類資料中完成了全電學可控的雙量子點構造。