關鍵參數
標稱頻率
指晶體元件規范中所指定的頻率，也即用戶在電路設計和元件選購時所希望的理想工作頻率。
調整頻差
基準溫度時，工作頻率相對于標稱頻率的[敏感詞]允許偏離。常用ppm(1/106)表示。
溫度頻差
在整個溫度范圍內工作頻率相對于基準溫度時工作頻率的允許偏離。常用ppm(1/106)表示。
老化率
指在規定條件下，由于時間所引起的頻率漂移。這一指標對精密晶體是必要的，但它“沒有明確的試驗條件，而是由制造商通過對所有產品有計劃抽驗進行連續監督的，某些晶體元件可能比規定的水平要差，這是允許的”(根據IEC的公告)。老化問題的[敏感詞]解決方法只能靠制造商和用戶之間的密切協商。
諧振電阻(Rr)
指晶體元件在諧振頻率處的等效電阻，當不考慮C0的作用，也近似等于所謂晶體的動態電阻R1或稱等效串聯電阻(ESR)。這個參數控制著晶體元件的品質因數，還決定所應用電路中的晶體振蕩電平，因而影響晶體的穩定性以致是否可以理想的起振。所以它是晶體元件的一個重要指標參數。一般的，對于一給定頻率，選用的晶體盒越小，ESR的平均值可能就越高;絕大多數情況，在制造過程中并不能預計具體某個晶體元件的電阻值，而只能保證電阻將低于規范中所給的[敏感詞]值。
負載諧振電阻(RL)
指晶體元件與規定外部電容相串聯，在負載諧振頻率FL時的電阻。對一給定晶體元體，其負載諧振電阻值取決于和該元件一起工作的負載電容值，串上負載電容后的諧振電阻，總是大于晶體元件本身的諧振電阻。
負載電容(CL)
與晶體元件一起決定負載諧振頻率FL的有效外界電容。晶體元件規范中的CL是一個測試條件也是一個使用條件，這個值可在用戶具體使用時根據情況作適當調整，來微調FL的實際工作頻率(也即晶體的制造公差可調整)。但它有一個合適值，否則會給振蕩電路帶來惡化，其值通常采用10pF、15pF 、20pF、30pF、50pF、∝等，其中當CL標為∝時表示其應用在串聯諧振型電路中，不要再加負載電容，并且工作頻率就是晶體的(串聯)諧振頻率Fr。用戶應當注意，對于某些晶體(包括不封裝的振子應用)，在某一生產規范既定的負載電容下(特別是小負載電容時)，±0.5pF的電路實際電容的偏差就能產生±10×10-6的頻率誤差。因此，負載電容是一個非常重要的訂貨規范指標。
靜態電容(C0)
等效電路靜態臂里的電容。它的大小主要取決于電極面積、晶片厚度和晶片加工工藝。
動態電容(C1)
等效電路中動態臂里的電容。它的大小主要取決于電極面積，另外還和晶片平行度、微調量的大小有關。
動態電感(L1)
等效電路中動態臂里的電感。動態電感與動態電容是一對相關量。
諧振頻率(Fr)
指在規定條件下，晶體元件電氣阻抗為電阻性的兩個頻率中較低的一個頻率。根據等效電路，當不考慮C0的作用，Fr由C1和L1決定，近似等于所謂串聯(支路)諧振頻率(Fs)。這一頻率是晶體的自然諧振頻率，它在高穩晶振的設計中，是作為使晶振穩定工作于標稱頻率、確定頻率調整范圍、設置頻率微調裝置等要求時的設計參數。