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COC共晶機
PH-100
1, PH-100是COC等制程中將耐高溫基底與芯片，經過控制溫度曲線熔化焊料從而鍵合在一-起的共晶設備。
2,設備主要由共晶臺，貼片吸嘴組件，對位CCD，脈沖加熱系統等組成。
3,共晶臺包含X、Y、T三軸系統組成，上面設置共晶加熱模塊，冷氮氣環境保護系統，共晶臺冷卻系統。
4,貼片吸嘴組件設在Z軸上，Z軸用于控制貼片高度，貼片吸嘴組件設有彈簧壓力控制機構。
5,共晶模塊采用脈沖加熱方式，溫度可分段設定，溫度升降及焊接時間可精準控制。
設備尺寸: X950*Y1080*Z1400
重量: 300KG
功率: 8KW
氣壓: 0.3~0.6MP
電壓: 220V
共晶時間: 10 sec/pc
CCD鏡頭放大倍數: 0.5-7X
共晶壓力: 10~ 50gf
料盒尺寸: (tray 2"X2")
加熱面積: 10x10mm
最高溫度: 450 C
設備特點：
1, PH-100是COC等制程中將耐高溫基底與芯片，經過控制溫度曲線熔化焊料從而鍵合在一-起的共晶設備。
2,設備主要由共晶臺，貼片吸嘴組件，對位CCD，脈沖加熱系統等組成。
3,共晶臺包含X、Y、T三軸系統組成，上面設置共晶加熱模塊，冷氮氣環境保護系統，共晶臺冷卻系統。
4,貼片吸嘴組件設在Z軸上，Z軸用于控制貼片高度，貼片吸嘴組件設有彈簧壓力控制機構。
5,共晶模塊采用脈沖加熱方式，溫度可分段設定，溫度升降及焊接時間可精準控制。
設備結構：